工業設備需在惡劣電磁環境中保持可靠運行。連接設備輸入/輸出的線纜易耦合各種干擾噪聲。以電機附近線纜為例，會耦合高壓高頻的電氣快速瞬變脈沖；雷擊引發的浪涌可通過電感耦合影響長距離線纜，或經電源實現間接耦合。

        操作或維護期間，連接器與裸露部件在人員接觸時可能引發靜電放電。工業設備必須具備承受此類干擾并維持正常工作的能力。實現良好電磁兼容性時，隔離系統與非隔離系統的設計范式存在本質差異。本文重點闡述如何通過隔離技術增強系統對ESD、EFT及浪涌的抗擾度，通過精細化設計可實現性能提升與系統成本優化的雙重目標。

        隔離系統與非隔離系統在實現良好電磁兼容性（EMC）方面存在差異。本文將探討如何利用隔離技術提升系統對靜電放電（ESD）、電快速瞬變脈沖群（EFT）及浪涌的抗擾度。通過精心設計，不僅能提升系統性能，還可降低整體成本。

電磁兼容（EMC）測試中的電壓與電流：非隔離系統

        圖 1 展示了非隔離系統的框圖，并標注了由 ESD、EFT 或浪涌瞬變產生的電壓和電流。在非隔離系統中，所有電路（包括任何瞬態保護器件）均連接至保護接地（PE）。現代瞬態電壓抑制器（TVS）因具有低電容特性，是高速數據傳輸場景的優選保護元件——這一特性使其能夠設計到多節點網絡的每個節點中，且無需降低數據速率。

               圖1：非隔離系統中瞬態抗擾度測試期間的電壓與電流

         TVS二極管憑借皮秒級響應時間和數千瓦的功率容量，為ESD、群脈沖EFT及浪涌瞬變提供*有效的防護。該瞬態保護器件能將瞬變事件產生的大電流導至保護地（PE）。

        設計瞬態保護電路時，必須確保電源與I/O引腳上的鉗位電壓低于連接電路的*大額定耐壓值。例如，對于1kV浪涌瞬變能鉗位于50V的TVS二極管，可保護耐壓峰值達50V的收發器及I/O電路。若TVS鉗位電壓遠高于收發電路的**工作電壓，則需增加鎮流電阻等輔助元件來增強I/O電路保護。

        當收發器和I/O引腳遭遇瞬變事件時，瞬態保護器件會鉗位于特定電壓VC。這種鉗位效應將導致通信信道中的正常信號被瞬變脈沖能量淹沒，可能引發通信鏈路中的毛刺或錯誤脈沖。這些錯誤脈沖的寬度至少與瞬態噪聲脈沖相當（ESD和EFT為100納秒，浪涌為100微秒），并遵循測試重復模式周期性出現。

         為滿足標準A要求（施加噪聲瞬變期間設備性能不劣化），必須通過RC濾波器、主控制器數字濾波或差錯檢測重傳機制濾除這些錯誤脈沖。然而，這些方法就會降低通信吞吐量，增加系統成本，并給主控制器帶來額外運算負荷。

電磁兼容測試中的隔離系統電壓與電流特性分析

         圖2所示為隔離系統框圖，其中標注了因ESD、EFT或浪涌測試產生的電壓與電流路徑。本實例中，收發器及其他I/O端口通過數字隔離器與主控制器實現電氣隔離。主控制器以保護地（PE）為參考電位，系統接口側（熱側）及瞬態保護器件則以浮地（ISO GND）為參考基準。隔離式DC/DC轉換器為熱側提供工作電源。

               圖2：隔離系統中瞬態抗擾度測試期間的電壓與電流

       在ISO GND與PE之間存在寄生電容CISO，該電容由所有隔離元件（數字隔離器、光耦、變壓器）的隔離屏障電容與印制電路板引入的雜散電容共同構成。

       基于標準定義的電壓電流波形、發生器輸出阻抗及鉗位電路參數，可建立不同瞬態事件的電氣模型。圖2所示框圖可用于模擬瞬態事件對系統的影響特性。

隔離屏障兩端電壓

       當接口引腳遭遇瞬態事件時，瞬態保護器件會以較低壓降迅速導通，導致瞬態脈沖的全部開路電壓施加于隔離屏障兩端。例如，接口引腳受到8kV ESD沖擊時，隔離屏障（ISO GND與PE之間）將承受8kV電壓應力。

        通過在隔離屏障兩端增設安規認證電容（額外元件）提升CISO的有效容值，可降低隔離屏障承受的電壓應力。持續時間較短的ESD和EFT脈沖比浪涌更易被濾波抑制。

                           圖3：隔離屏障兩端電壓事件的仿真

         圖3a仿真結果表明：當CISO為100pF時，8kV ESD沖擊可被衰減至5kV以下；圖3b顯示當CISO為1nF時，4kV EFT脈沖可被衰減至2kV以下。

         目前市場上僅有少數信號隔離技術（包括德州儀器增強型隔離器）能直接承受8kV ESD和4kV EFT的屏障間沖擊。其他隔離方案需借助額外安規認證電容將屏障應力降至可接受水平。雖然增設安規電容*明顯的問題是系統成本上升，但如后續章節所述，此舉還會帶來其他技術弊端。

         浪涌脈沖的寬度更大，因此采用合理的寄生電容（CISO）值難以對其進行濾波。同時，大多數隔離屏障能夠承受工業系統所需的 1kV 至 2kV 浪涌等級，因此無需額外濾波。

瞬態保護器件導通電流

         針對圖2所示隔離系統，接口引腳瞬態測試的電流回路通過CISO形成閉環。通過精心設計較低的CISO值，可對瞬態事件呈現顯著阻抗，從而大幅削減流經瞬態保護器件的峰值電流。對于浪涌等慢速瞬變，該阻抗效應更為顯著。

         如圖4所示，當CISO = 10pF時，EFT測試中流經保護器件的峰值電流從非隔離系統的20A降至隔離系統的1.8A，衰減幅度達10倍。電流持續時間也從100ns縮短至不足10ns，縮減超10倍。圖5數據表明，浪涌事件中峰值電流降幅超40倍，電流持續時間縮減至1/100。

                圖4：1kV電快速瞬變脈沖群（EFT）測試期間保護器件中的電流仿真

         幅值與脈寬的雙重降低，顯著減輕了外部TVS保護器件的峰值電流與峰值功率要求，使其可實現更小體積與更低成本。浪涌事件的峰值功率從數千瓦降至數十毫瓦，這種優化**實用價值。若CISO足夠小，且收發器內置片上瞬態保護設計合理，可完全省去外部瞬態保護電路。

滿足電快速瞬變脈沖群（EFT）和浪涌的A 判據

         如前所述，在非隔離系統中，接口引腳上的信號會在整個瞬態事件期間被  干擾完全覆蓋：電快速快速瞬變脈沖群（EFT）事件中該過程約持續 100ns，浪涌事件中則約持續 100μs。此時必須對通信鏈路中產生的錯誤脈沖進行濾波處理，這會導致額外成本增加、傳輸延遲增大及數據吞吐量下降。

        在隔離系統中，由于流過瞬態保護器件的電流持續時間大幅縮短，產生的錯誤脈沖寬度更窄。如圖 6 所示，對于共模阻抗為 25Ω的收發器或 I/O 接口，EFT事件引發的共模電壓偏移僅持續 6ns，浪涌事件引發的共模電壓偏移僅持續 2μs。這類窄錯誤脈沖更易于濾波，且對吞吐量的影響極小。同時，電壓偏移被限制在幾伏范圍內，這使得收發器甚至無需任何濾波措施即可正常工作。

         因此，隔離技術可使系統在滿足電磁兼容（EMC）抗擾度 A 判據的同時，無需犧牲吞吐量或增加延遲。

                          圖5：1kV浪涌測試期間保護器件的通流仿真

                    圖6：共模阻抗為25Ω的I/O 接口上產生的電壓仿真

           表 1 總結了通過隔離技術實現的峰值電流降低及峰值持續時間縮短，這能夠減少甚至消除對瞬態保護的需求。例如，在浪涌事件中，峰值功率可從 1.2kW 降至 10mW。瞬態事件中  共模偏移的減小，也使系統更易滿足 A 判據要求。

表1：通過隔離技術實現的峰值電流降低及電流脈沖持續時間縮短

總結

        隔離系統與非隔離系統在實現良好電磁兼容（EMC）性能方面的考量存在差異。靜電放電（ESD）、電快速瞬變脈沖群（EFT）和浪涌測試中施加的開路電壓，可能以電壓應力的形式作用于隔離屏障兩端。因此，系統中使用的隔離器必須能夠承受這些高壓快速瞬變的沖擊。

         在隔離系統中，接口引腳上瞬態事件產生的電流環路通過隔離屏障的總電容形成閉合回路。通過精心設計，將隔離屏障電容值控制在較低水平，可為瞬態事件提供顯著阻抗，從而大幅降低流過瞬態保護器件的峰值電流——這不僅可省去對大功率瞬態保護器件的需求，還能降低系統成本。此外，隔離技術還能將保護器件對 I/O 引腳的鉗位時間縮短一個數量級，這會減小電磁兼容測試期間通信鏈路中錯誤脈沖的寬度，使系統相比非隔離系統更易滿足 A 判據要求。